Samsung dobler minnet

Samsung dobler minnet

Snart kan vi kjøpe minnekort på 128 gigabyte

Samsung har ifølge TMC.net lykkes i å krympe teknologien de benytter for å produsere NAND-flash til 30 nanometer. Dermed har de også doblet datatettheten på minnekretsene.

En nanomenter (nm) utgjør en milliondel av en millimeter og det er vanlig at produksjonen av elektroniske kretser måles etter størrelsen på det minste elementet det er mulig å plassere på brikkens overflate.

NAND-kretsene på 30 nanometer er basert på en teknologi ved navn multi-level-cell (MLC) der én enkelt krets kan nå romme åtte gigabyte. Det betyr at vanlige minnepinner eller minnekort med 16 kretser kan leveres med en lagringskapasitet på 128 gigabyte.

Større 1,8-tommers flashdisker (også kalt SSD eller Solid State Drive) rommer 64 minnekretser og får dermed plass til hele 512 gigabyte.

LES OGSÅ: Slik fungerer Flash

Om Samsung får det som de vil kan kanskje denne kapasiteten være standard i en bærbar pc innen 2009.

Selv om MLC-teknologien kan doble lagringskapasiteten sliter den imidlertid med et hastighetsproblem. Foreløpig går det nemlig langt raskere å lese og skrive til minnekretser basert på dagens single-level cell.

Med andre ord kan vi ikke denne gangen si ja takk, begge deler.

LES OGSÅ: Raskere flashdisk fra Mtron

Infrastruktur