DDR4 rett rundt hjørnet

DDR4 rett rundt hjørnet

SAN FRANCISCO (PC World Norge): Arvtageren til dagens DDR3 er rett rundt hjørnet. Dette blir nytt i DDR4.

Det føles som om DDR3 har vært på markedet i en «evighet». Etter stadige utsettelser og forsinkelser fra interesseorganisasjonen JEDEC, ser det endelig ut som at DDR4 kan snart settes ut i produksjon.

Under årets Intels årlige utviklerkonferanse IDF, benyttet flere minneprodusenter med blant annet Samsung og SK Hynix i spissen, muligheten til å vise frem neste generasjon minneteknologi, DDR4.

Som det kanskje går frem av navnet, er DDR4 en direkte arvtaker av dagens DDR3-teknologi. På sikt skal teknologien erstatte DDR3 helt og holdent.

Den observante leser vil kanskje rynke på nesen og si at DDR4 ikke er nytt. Det er bare delvis riktig. Tidligere i år annonserte Samsung at selskapet hadde startet prøveproduksjon av minnebrikkene som oppfylte de foreløpige DDR4-spesifikasjonene til JEDEC. Siden den gang har spesifikasjonene endret seg.

Les også: Alt om Intels nye mikroarkitektur

Det har etter det vi har fått vite, vært en hard drakamp internt i JEDEC om hvilke krav man skulle stille til både spenning og teoretisk overføringshastighet. Denne kampen ser nå ut til å være over.

Det er uklart hva kampen har dreid seg om, men det ryktes om at enkelte minneprodusenter synes kravene for JEDEC var for ambisiøse og direkte knalltøffe. Ifølge Samsungs medarbeidere som vi snakket med under årets IDF, er så godt som 98-99 prosent av spesifikasjonene spikret.

Det er ventet at de endelige JEDEC-spesifikasjonene blir fullført og signert med medlemsselskapene før året er omme – ett år senere enn planlagt.

DDR4 i korte trekk

I likhet med mye annen teknologi som utvikles i dag, er det først og fremst effektforbruk som har stått sentralt da avløseren til dagens DDR3-teknologien skulle utvikles.

Mens man tidligere har prioritert ytelse øverst, er det faktisk effektforbruket som har toppet listen over forbedringer denne gangen.

Med DDR4 reduseres spenningen fra 1.5 volt, til 1.2 volt. Det er en forbedring på 20 prosent. Dette kommer spesielt bærbare og nettbrett til gode, men også integrerte systemer vil dra fordeler som følge av den lavere spenningen.

Enkelte vil kanskje argumentere for at det allerede finnes spesielle lavenergi DDR3L-moduler som kan også operere på 1.35-1.25 volt, men disse tilbyr som regel ikke like god ytelse som de ordinære modulene med høyere spenning.

Vi er ikke kjent med planene for Hynix, men Samsung hevder at selskapets DDR4-brikker vil være produsert ved hjelp av selskapets seneste 20 nm produksjonsteknologi. Per i dag, produserer Samsung majoriteten av selskapets DDR3-brikker ved 30nm produksjonsteknologi.

Godt over 50 GB/s

På ytelsessiden har det også skjedd en god del ting. Den teoretiske overføringshastigheten spenner nå fra 2133 til 3200 Megabit per sekund (Mbps), med stoppene 2400 og 2666 i mellom.

Med en minnebussbredde på 128-bit, snakker vi om en båndbredde på godt over 50 GB/s for DDR4-3200. En liten skår i gleden er at hverken Samsung eller Hynix vil være i stand til å levere de raskeste DDR4-3200 modulene, før i 2014/2015.

Vi har sett Samsungs veikart for DDR4 for de kommende årene. Planen er å lansere DDR4-2400 i løpet av midten av neste år, mens DDR4-2666 er ventet å lanseres ett år senere.

Intel støtte i 2014

Støtte fra industrien er naturligvis avgjørende for at teknologien skal komme raskt i hendene på forbrukerne. Med DDR4 økes antall tilkoblingspunkter fra 240 til 284, noe som dessverre betyr nye hovedkort.

Intels minneteknologiplaner for i år og neste år er allerede fastsatt og bygger fortsatt rundt dagens DDR3-teknologi. Samsung og Hynix regner derfor ikke med at offisiell støtte fra Intel kommer før i 2014.

Da blir det, ikke overraskende nok, Intels Xeon-prosessorer som får glede av teknologien før teknologien blir lansert lenger ned i markedshierarkiet. AMDs planer for øyeblikket ikke kjent.

Les også: Er det hensiktsmessig å oppgradere bærbare pc-er?

Les om: