IBM øker ytelsen og reduserer strømforbruket

IBM øker ytelsen og reduserer strømforbruket

IBM viste nylig frem teknologi som forbedrer ytelsen og reduserer strømforbruket i alt fra mobiltelefoner til kraftige servere.

Denne teknologien kalles high-k/metal gate, og kan i følge IBM øke ytelsen med opp til 30 prosent samtidig som strømforbruket reduseres med opptil 50 prosent på kretser. Teknologien baserer seg på 32 nanometers produksjonsteknologi, og tallene her er sammenligninger i forhold til 45 nanometers produksjonsteknologi på samme spenningsnivå.

Eksempelvis vil en krets fremstilt med 45 nanometers produksjonsteknologi og som opererer på 1,1 volt oppnå 24 prosent ytelsesøkning og 40 prosent reduksjon i strømforbruk hvis den i stedet skaleres til en 32 nanometers produksjonsteknologi med high-k metal gate-teknologien. Hvis spenningen reduseres til 0,95 volt, vil kretsen ha 18 prosent økning i ytelse, samt 45 prosent strømreduksjon.

IBM leverer nå et evalueringssett som består av kretsmodeller til sine kunder slik at de kan utvikle kretser med high-k/metal gate-teknologien. IBM forteller at de trolig vil innføre teknologien i slutten av 2009 når de starter volumproduksjon av kretser basert på 32 nanometers produksjonsteknologi.

En nanometer er for øvrig det samme som en milliarddels meter, og innenfor kretsproduksjon så er dette størrelsen på de minste delene som etses fast på en kretsoverflate.

Intel startet arbeidet med å innlemme high-k/metal gate-teknologien i fjor da de startet produksjonen av kretser basert på 45 nanometers produksjonsteknologi. AMD bruker imidlertid ikke denne teknologien i sine produkter.

Les om: